招聘

岗位

专任副研究员1名（所属任务：3-5nm）

岗位

职责

1. FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。

2. SiGe材料外延工艺开发。

3. 面向先进工艺的DTCO技术研究。

招聘条件

1. 拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。

2. 具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。

3. 年龄一般在40周岁以下。

4. 须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平，或任务特需的，具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定）

5. 精通半导体器件物理以及集成电路工艺，具有丰富的半导体器件和工艺开发经验，包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD，器件/工艺仿真等。

6. 具有重大项目研究经历者优先。

招聘

范围

校内、外

岗位

待遇

1.与学校签订劳动合同，可申请学校相关住房。

2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。

3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。

应聘

程序

1.应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。

2.择优安排面试。

3.拟聘用者报学校审批。

联系

方式

邮箱：xu_min@fudan.edu.cn

截止

日期

2023年12月31日

备注

订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用：

（1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的；

（2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的；

（3）违反高等学校教师职业行为规范的；

（4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的；

（5）其他不符合聘用条件的情形。